近年来，随着存储技术的不断发展，3D NAND闪存的层数逐渐突破了以往的极限。然而，随着堆叠层数的增加，芯片的可靠性问题逐渐显现，给全球存储厂商带来了巨大的挑战。为了应对这一难题，三星近日宣布与中国长江存储签署了一项3D NAND混合键合专利许可协议，决定在2025年下半年量产下一代V10 NAND产品时，引入长江存储的创新技术。这一合作不仅标志着三星在技术上做出的重要决策，也为全球存储行业的技术进步带来了新动能。

1. 三星引入混合键合技术，提升V10 NAND性能

三星的V10 NAND存储芯片堆叠层数将达到420至430层，这在存储行业中是一次重大的突破。然而，随着层数的增加，传统的生产技术面临越来越多的挑战，特别是在底层外围电路的压力增大时，芯片的可靠性可能受到影响。为了解决这一问题，三星决定采用长江存储的W2W混合键合技术。这项技术通过直接将两片晶圆贴合在一起，避免了传统的凸点连接，从而缩短了电气路径，优化了散热性能，提升了芯片的整体效率和可靠性。

2. 长江存储引领3D NAND技术革新

长江存储早在四年前就率先将混合键合技术应用于3D NAND的制造，并命名为“晶栈（Xtacking）”。通过这项技术，长江存储不仅突破了3D NAND制造的瓶颈，还建立了完整的专利布局，掌握了关键技术的控制权。此次与三星的合作，标志着长江存储在全球存储产业中的影响力进一步提升，证明其技术在全球范围内的领先地位。

3. 专利授权，三星避免法律风险

业内人士指出，目前在3D NAND混合键合技术的关键专利领域，除了长江存储外，还包括美国Xperi和台湾的台积电。随着全球存储行业技术不断升级，三星几乎无法绕过长江存储的专利布局。因此，为了避免潜在的法律风险并加速技术的研发进程，三星最终选择通过专利授权的方式与长江存储达成合作协议，而非试图规避专利。

4. SK海力士也将面临同样挑战

除三星外，另一家存储巨头SK海力士也在开发针对400层以上NAND产品的混合键合技术。随着技术的不断进步，SK海力士也可能需要与长江存储达成专利授权协议，从而进一步推动自身技术的突破。

5. 未来展望：合作与创新引领存储行业发展

此次三星与长江存储的合作，不仅为两家公司带来了技术上的深度融合，也为全球存储技术的发展开辟了新的方向。随着技术的不断演进，未来更多的存储厂商可能会依赖长江存储的专利技术，推动全球存储产业的创新与突破。

业内专家认为，未来三星在V10、V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，仍将继续借助长江存储的技术支持。这不仅展示了长江存储在全球存储技术领域的重要地位，也为中国在全球半导体产业中的崛起提供了强有力的支撑。

总结来说，三星与长江存储的合作，不仅是技术授权的简单交易，更是全球存储产业技术创新与合作的体现。随着技术不断更新换代，存储行业的竞争将越来越依赖于企业间的技术合作与专利共享。

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